1,69€
En stock
5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Pack de 5 unidades
Marca: satkit
1,69€
IVA incluido (Sin IVA: 1,40€)
En stock - Envío inmediato
Entrega estándar
Mié, Abr 22 - Vie, Abr 24
Entrega exprés
Lun, Abr 20 - Mar, Abr 21
Devoluciones en 30 días
Devoluciones gratuitas en 30 días
Transacción segura
Share:
Envío gratis
En pedidos superiores a 60€
Devoluciones fáciles
Política de devolución de 30 días
Pago seguro
Proceso de pago 100% seguro
Garantía de calidad
Solo productos originales
El pack de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 es un conjunto de transistores MOSFET de canal N diseñados para aplicaciones electrónicas que requieren alta eficiencia y capacidad de manejo de corriente y voltaje.
Características principales:
- Categoría: N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Usos típicos:
- Control de motores eléctricos en proyectos DIY y profesionales.
- Amplificadores de potencia y fuentes de alimentación conmutadas.
- Interruptores electrónicos para cargas de alta corriente.
- Aplicaciones en robótica y sistemas embebidos que requieren alta eficiencia.
Compatibilidad: Este transistor es compatible con circuitos que operan dentro de sus especificaciones eléctricas, especialmente en proyectos que requieran un MOSFET de canal N con alta capacidad de corriente y voltaje.
Este pack de 5 unidades permite tener repuestos o implementar varios circuitos simultáneamente, garantizando un rendimiento confiable y duradero gracias a su encapsulado TO-220 que facilita la disipación térmica.
- Pack de 5 transistores IRF540N MOSFET N-Canal
- Voltaje máximo de 100V para aplicaciones exigentes
- Corriente máxima de 33A para cargas altas
- Resistencia interna baja de 44mΩ para eficiencia
- Disipación de potencia de 130W para uso prolongado
- Encapsulado TO-220 para mejor disipación térmica
- Tiempo de conmutación rápido de 35ns
- Temperatura de operación de -55°C a 175°C
Preguntas y respuestas de clientes
Quines precaucions d’instal·lació cal tenir per evitar danys per sobreescalfament o sobrecorrent al IRF540N?
Per evitar danys, és fonamental assegurar una dissipació de calor correcta utilitzant un dissipador adequat si la dissipació supera 2 W, i respectar els límits: màx. 100 V drenador-font, 33 A continus i 130 W de potència. A més, cal evitar pics que superin el voltatge de porta de 20 V i protegir-lo de descàrregues electrostàtiques abans de la instal·lació.
Amb quins tipus de senyals de control i circuits de lògica és compatible la porta del IRF540N?
El IRF540N necessita típicament una tensió de porta d’almenys 10 V per a una conducció eficient, tot i que pot començar a activar-se des de 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bé amb controladors MOSFET o circuits lògics amb etapa d’adaptació; no és recomanable connectar-lo directament a microcontroladors de 3.3 V sense un driver intermedi.
Quin tipus de protecció o normes de seguretat ha de complir la instal·lació d’aquests MOSFET en sistemes industrials?
En sistemes industrials, la instal·lació ha de contemplar protecció contra sobrecàrregues (fusibles o disjuntors), supressió de transitoris (díodes flyback o varistors), i complir normatives com IEC 60950 (seguretat elèctrica) i ESD (protecció contra descàrregues electrostàtiques) per assegurar una operació segura i la durabilitat del component.
What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?
To avoid damage, it is essential to ensure proper heat dissipation by using a suitable heatsink if dissipation exceeds 2 W, and to respect the limits: max 100 V drain-source, 33 A continuous and 130 W power. In addition, avoid spikes above the 20 V gate voltage and protect against electrostatic discharge before installation.
What types of control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?
The IRF540N typically needs a gate voltage of at least 10 V for efficient conduction, although it may begin to turn on from 2-4 V (Vgs(th)). It works well with MOSFET drivers or logic circuits with a matching stage; it is not recommended to connect it directly to 3.3 V microcontrollers without an intermediate driver.
What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?
In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD (electrostatic discharge protection) to ensure safe operation and component durability.
What installation precautions are needed to avoid damage from overheating or overcurrent in the IRF540N?
To avoid damage, it is essential to ensure proper heat dissipation by using a suitable heatsink if dissipation exceeds 2 W, and to respect the limits: max 100 V drain-source, 33 A continuous and 130 W power. In addition, avoid spikes above the 20 V gate voltage and protect against electrostatic discharge before installation.
Which control signals and logic circuits is the IRF540N gate compatible with?
The IRF540N typically needs a gate voltage of at least 10 V for efficient conduction, although it may begin to turn on from 2-4 V (Vgs(th)). It works well with MOSFET drivers or logic circuits with a matching stage; it is not recommended to connect it directly to 3.3 V microcontrollers without an intermediate driver.
What type of protection or safety standards should the installation of these MOSFETs comply with in industrial systems?
In industrial systems, installation should include overload protection (fuses or circuit breakers), transient suppression (flyback diodes or varistors), and compliance with standards such as IEC 60950 (electrical safety) and ESD protection to ensure safe operation and component durability.
Vilka installationsförsiktigheter behövs för att undvika skador från överhettning eller överström i IRF540N?
För att undvika skador är det viktigt att säkerställa korrekt värmeavledning med en lämplig kylfläns om förlusteffekten överstiger 2 W, samt att respektera gränserna: max 100 V drain-source, 33 A kontinuerligt och 130 W effekt. Undvik dessutom spänningsspikar över gate-spänningen på 20 V och skydda mot elektrostatiska urladdningar före installation.
Escribe una opinión de cliente
Los clientes que compraron este artículo también compraron
Set pulsadores botones táctiles 250 piezas con 25 tipos variados satkit
14,53€
Solo quedan 4 en stock
Tus artículos vistos recientemente
5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Pack de 5 unidades
1,69€