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5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 - Pack de 5 unidades
Marca: satkit
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El pack de 5pcs IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 es un conjunto de transistores MOSFET de canal N diseñados para aplicaciones electrónicas que requieren alta eficiencia y capacidad de manejo de corriente y voltaje.
Características principales:
- Categoría: N-Canal MOSFET
- Voltaje máximo: 100V
- Corriente máxima: 33A
- Resistencia interna (Rds(on)): 44mΩ
- Voltaje de la puerta: 20V
- Tiempo de conmutación: 35ns (ascenso y descenso)
- Disipación de potencia: 130W
- Encapsulado: TO-220
- Rango de temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
Usos típicos:
- Control de motores eléctricos en proyectos DIY y profesionales.
- Amplificadores de potencia y fuentes de alimentación conmutadas.
- Interruptores electrónicos para cargas de alta corriente.
- Aplicaciones en robótica y sistemas embebidos que requieren alta eficiencia.
Compatibilidad: Este transistor es compatible con circuitos que operan dentro de sus especificaciones eléctricas, especialmente en proyectos que requieran un MOSFET de canal N con alta capacidad de corriente y voltaje.
Este pack de 5 unidades permite tener repuestos o implementar varios circuitos simultáneamente, garantizando un rendimiento confiable y duradero gracias a su encapsulado TO-220 que facilita la disipación térmica.
- Pack de 5 transistores IRF540N MOSFET N-Canal
- Voltaje máximo de 100V para aplicaciones exigentes
- Corriente máxima de 33A para cargas altas
- Resistencia interna baja de 44mΩ para eficiencia
- Disipación de potencia de 130W para uso prolongado
- Encapsulado TO-220 para mejor disipación térmica
- Tiempo de conmutación rápido de 35ns
- Temperatura de operación de -55°C a 175°C
Preguntas y respuestas de clientes
¿Qué precauciones de instalación hay que tener para evitar daños por sobrecalentamiento o sobrecorriente en el IRF540N?
Para evitar daños, es fundamental asegurar una correcta disipación de calor utilizando un disipador adecuado si la disipación supera 2 W, y respetar los límites: máx. 100 V drenador-fuente, 33 A continuos y 130 W de potencia. Además, evitar picos que superen el voltaje de puerta de 20 V y proteger frente a descargas electrostáticas antes de la instalación.
¿Con qué tipos de señales de control y circuitos de lógica es compatible la compuerta del IRF540N?
El IRF540N necesita típicamente una tensión de compuerta de al menos 10 V para una conducción eficiente, aunque puede comenzar a activarse desde 2-4 V (Vgs(th)). Funciona bien con controladores MOSFET o circuitos lógicos con etapa de adaptación; no es recomendable conectarlo directamente a microcontroladores de 3.3 V sin un driver intermedio.
¿Qué tipo de protección o normas de seguridad debe cumplir la instalación de estos MOSFET en sistemas industriales?
En sistemas industriales, la instalación debe contemplar protección contra sobrecargas (fusibles o disyuntores), supresión de transientes (diodos flyback o varistores), y cumplir normativas como IEC 60950 (seguridad eléctrica) y ESD (protección contra descargas electrostáticas) para asegurar operación segura y durabilidad del componente.
¿Para qué sirve el transistor IRF540N MOSFET?
El IRF540N es un transistor MOSFET de canal N utilizado para controlar cargas eléctricas de alta corriente y voltaje en circuitos electrónicos, como motores, amplificadores y fuentes de alimentación.
¿Cuántas unidades incluye este pack?
Este pack incluye 5 unidades del transistor IRF540N MOSFET.
¿Cuál es el encapsulado del IRF540N?
El IRF540N viene en encapsulado TO-220, que facilita la disipación térmica y su montaje en circuitos.
¿Cuál es el voltaje y corriente máxima que soporta este transistor?
El transistor soporta un voltaje máximo de 100V y una corriente máxima de 33A.
¿Es adecuado para proyectos que requieren alta disipación de potencia?
Sí, este transistor tiene una disipación de potencia máxima de 130W, ideal para aplicaciones que requieren manejo de potencia elevada.
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